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Vergrößerter Ausgangsstrom

Die Lastabhängigkeit der vorgestellten Schaltung (nach Bild 1) kann durch zusätzliche Maßnahmen verbessert werden. In Bild 4 ist eine derartige Möglichkeit dargestellt.

Im Fall von geringen Ausgangsströmen (unter 1  µA) fließt der gesamte Strom durch den Sperschichtfeldeffektransistor (BF246). Ab 1  µA abgegebenem Strom steigt der Spannungsabfall am 1  M-Widerstand über die Schwellspannung des PMOS-Transistors (BS250), so daß dieser leitend wird und einen zusätzlichen Stromfluß ermöglicht. Bei größeren Ausgangsströmen fließt somit der wesentliche Teil über den zusätzlich eingefügten Transistor (BS250), so daß der Stromfluß durch den spannungsbestimmenden FET (BF246) nur geringfügig ansteigt. Auf diese Weise wird der Einfluß des abgegebenen Stroms auf die Ausgangsspannung spührbar reduziert.

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Bild 4: Verbesserung der Lastabhängigkeit, durch hinzufügen eines PMOS-Transistor zur Unterstützung des Ausgangsstroms.

Mit dieser Schaltungsvariante ist es somit möglich auch größere Ströme über 1  mA stabilisiert am Ausgang bereit zu stellen. Die Lastabhängigkeit der Schaltung nach Bild 4 ist in Bild  5 aufgezeichnet.

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Bild 5: Nach Bild 2 praktisch ermittelte Abhängigkeit der Ausgangsspannung vom Ausgangsstrom.

Im Vergleich zur Lösung mit lediglich einem Transistor als stabilsierendem Element verrringert sich die Ausgangsspannung hier lediglich um 0,1  V (über 1  V mit nur einem Transistor), bei einer Steigerung des Ausgangsstroms von 1  µA auf 100  mA. Dies ist auch der Bereich, in welchem die Unterstützung des zweiten Transistors (BS250, PMOS) voll zuschlägt.

Es kann auch ein Bipolartransistor anstelle des PMOS-Transistors eingesetzt werden. Der weitere Aufbau bleibt hierbei unverändert.